[发明专利]磁性存储元件和磁性存储器有效
| 申请号： | 201110173481.2 | 申请日： | 2011-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN102332297A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及磁性存储元件和包括该磁性存储元件的磁性存储器。所述磁性存储元件包括：基准层，其磁化方向固定为预定方向；记录层，其磁化方向由于对应于记录信息的方向上的自旋注入而变化；中间层，其将所述记录层与所述基准层隔开；以及热发生器，其用于加热所述记录层，其中，所述记录层的材料是在150℃时的磁化强度是在室温时的磁化强度的至少50％，且在150℃～200℃的温度范围内的磁化强度是在室温时的磁化强度的10％～80％的磁性材料。本发明能够在不降低信息保持性的情况下减小自旋注入引起磁化反转所需的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储 元件 存储器 | ||
【主权项】：
一种磁性存储元件，其包括：基准层，其磁化方向固定为预定方向；记录层，其磁化方向由于对应于记录信息的方向上的自旋注入而改变；中间层，其将所述记录层与所述基准层隔开；以及热发生器，其用于加热所述记录层，其中，所述记录层的材料是在150℃时的磁化强度是在室温时的磁化强度的至少50％，且在150℃～200℃的温度范围内的磁化强度是在室温时的磁化强度的10％～80％的磁性材料。
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