[发明专利]反转结构的聚合物太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110173494.X 申请日: 2011-06-24
公开(公告)号: CN102280586A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 秦大山 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 胡安朋
地址: 300401 天*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明反转结构的聚合物太阳能电池及其制备方法,涉及专门适用于将光能转换为电能的固体器件,是一种具有分层结构的三组分光活性薄膜的反转结构的聚合物太阳能电池,由顺序沉积的玻璃衬底上的阴极层、有机N型掺杂空穴阻挡层、三组分光活性层、有机P型掺杂空穴传输层和阳极层组成;其中三组分薄膜的质量配比为P3HT∶PC61BM∶BCP=12∶10∶0.01~12∶10∶0.1或PCPDTBT∶PC71BM∶Bphen=12∶15∶0.01~12∶15∶0.1。本发明的三组分光活性层的能量转换效率比已有的二组分光活性层高20%,且填充因子也高10%,同时克服了现有的反转结构的聚合物太阳能电池的诸多缺点。
搜索关键词: 反转 结构 聚合物 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
反转结构的聚合物太阳能电池,其特征在于:是一种具有分层结构的三组分光活性薄膜的反转结构的聚合物太阳能电池,由玻璃衬底上的一层阴极层、一层沉积在阴极上的有机N型掺杂空穴阻挡层、一层沉积在有机N型掺杂空穴阻挡层上的三组分光活性层、一层沉积在三组分光活性层上的有机P型掺杂空穴传输层和一层沉积在有机P型掺杂空穴传输层上的阳极层组成;所述阴极层的材料是导电氧化铟锡薄膜或贵金属薄膜;所述沉积在阴极层上的有机N型掺杂空穴阻挡层的材料是在萘四甲酸二酐中掺杂隐性结晶紫,其质量配比为萘四甲酸二酐∶隐性结晶紫=1∶0.01~1∶1;所述沉积在有机N型掺杂空穴阻挡层上的三组分光活性层的材料是以下三组分薄膜中的任意一种:I.由聚(3‑己基噻吩)、[6.6]‑苯基‑C61‑丁酸甲酯和2,9‑二甲基‑4,7二苯基‑1,10‑菲啰啉组成的三组分薄膜,其质量配比为聚(3‑己基噻吩)∶[6.6]‑苯基‑C61‑丁酸甲酯∶2,9‑二甲基‑4,7二苯基‑1,10‑菲啰啉=12∶10∶0.01~12∶10∶0.1;II.由聚[2,1,3‑苯并噻二唑‑4,7‑二基[4,4‑双(2‑乙基己基)‑4H‑环戊并[2,1‑B:3,4‑B’]二噻吩‑2,6‑二基]]、[6.6]‑苯基‑C71‑丁酸甲酯和4,7二苯基‑1,10‑菲啰啉组成的三组分薄膜,其质量配比为聚[2,1,3‑苯并噻二唑‑4,7‑二基[4,4‑双(2‑乙基己基)‑4H‑环戊并[2,1‑B:3,4‑B’]二噻吩‑2,6‑二基]]∶[6.6]‑苯基‑C71‑丁酸甲酯∶4,7二苯基‑1,10‑菲啰啉=12∶15∶0.01~12∶15∶0.1;所述沉积在光活性层上的有机P型掺杂空穴传输层的材料是在N,N’‑二(1‑萘基)‑N,N’‑二苯基‑4,4’‑联苯二胺中掺杂三氧化钨,其质量配比为N,N’‑二(1‑萘基)‑N,N’‑二苯基‑4,4’‑联苯二胺∶三氧化钨=1∶0.05~1∶0.5;所述沉积在有机P型掺杂空穴传输层上的阳极层材料是银。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北工业大学,未经河北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110173494.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top