[发明专利]氮化物半导体激光器芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201110173888.5 | 申请日： | 2011-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102299481A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 谷健太郎;川上俊之;谷善彦 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片以降低的电功耗运行且有助于实现成本降低，且具有：有源层，由氮化物半导体形成；氮化物半导体层，形成在有源层之上；脊部，形成在氮化物半导体层的一部分中；以及导电膜，具有光吸收特性，并且在氮化物半导体层之上至少形成脊部的外侧区域中。脊部的脊宽度为2μm以上且6μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体激光器 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体激光器芯片，包括：有源层，由氮化物半导体形成；氮化物半导体层，形成在所述有源层之上；脊部，形成在所述氮化物半导体层的一部分中；以及导电膜，具有光吸收特性，并且在所述氮化物半导体层之上至少形成在所述脊部的外侧区域中，其中所述脊部的脊宽度为2μm以上且6μm以下。
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