[发明专利]一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201110173943.0 | 申请日： | 2011-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102222704A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王月勤;王连红 | 申请（专利权）人： | 光为绿色新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 13121 | 代理人： | 周献济 |
| 地址： | 074000 河北省高*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜，其是由三层膜构成，第一层为硅片表面的二氧化硅薄膜，厚度为20～30nm，折射率为1.15～1.25；第二层为二氧化钛和二氧化硅复合薄膜，厚度为80～90nm，折射率为1.30～1.45；第三层为纳米二氧化钛薄膜，厚度为50～60nm，折射率为2.12～2.28。第一层二氧化硅薄膜采用热氧化法制备，第二层复合薄膜和第三层纳米二氧化钛薄膜都采用溶胶凝胶涂覆法制备。本发明采用三层减反射膜，降低了电池表面对光的反射，提高了太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 三层 减反射膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜，其特征在于：其是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的二氧化硅薄膜，厚度为20～30nm，折射率为1.15～1.25；第二层为二氧化钛和二氧化硅复合薄膜，厚度为80～90nm，折射率为1.30～1.45；第三层为纳米二氧化钛薄膜，厚度为50～60nm，折射率为2.12～2.28。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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