[发明专利]一种晶体硅太阳能电池片的制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片的制备方法，1、将原料硅片制绒、扩散；制绒深度控制在0.2-1.0μm，扩散控制在0.1-0.2μm；2、使用PECVD设备镀氮化硅减反射膜；PECVD设备的前四个U型槽中进入的氨气NH3和硅烷SIH4的流量比为6∶5；后四个U型槽中进入的氨气NH3和硅烷SIH4的流量比为3∶1-4∶1；在整体第五个U型槽中充入气体流量为200-300Sccm的氢气H2；膜厚控制在20-40nm为黄色，膜厚控制在40-60nm为红色，膜厚控制在100-120nm为绿色。本发明通过改变进入PECVD设备的各U型槽中的气体总量，从而控制减反射膜的厚度，进而使电池片达到红色、绿色和黄色的要求，以满足光伏产品与建筑一体化的需求要求。其增加产量，节省氨气NH3、硅烷SIH4和氢气H2的流量，提高生产效率，节约成本。

主权项

一种晶体硅太阳能电池片的制备方法，其特征在于：其包括以下步骤：(1)将原料硅片制绒、扩散；制绒深度控制在0.2 1.0μm，扩散为浅结，控制在0.1 0.2μm；(2)使用PECVD设备镀氮化硅减反射膜；调节PECVD设备的前四个U型槽中进入的氨气NH3和硅烷SIH4的流量，使气体流量比为6∶5；调节PECVD设备的后四个U型槽中进入的氨气NH3和硅烷SIH4的流量，使气体流量比为3∶1 4∶1；在PECVD设备的后四个U型槽中的第一个U型槽亦即整体第五个U型槽中充入氢气H2，氢气H2的气体流量为200 300Sccm；膜厚控制在20 40nm为黄色，膜厚控制在40 60nm为红色，膜厚控制在100 120nm为绿色；(3)将经过上述方法制成的电池片再经过印刷与烧结工序和测试与分档工序后制成晶体硅电池片。