[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 201110173987.3 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102299227A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 裴德圭 | 申请（专利权）人： | THELEDS株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 林锦辉;许向彤 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体发光器件，用于实现均匀电流密度分布和大亮度。该器件包括：衬底；依次形成于所述衬底上的n型半导体层，有源层和p型半导体层；包括p型电极焊盘和p型辅助电极的p型电极，该p型电极焊盘设置于所述p型半导体层的第一边缘，该p型辅助电极连接到所述p型电极焊盘；以及包括n型电极焊盘和n型辅助电极的n型电极，该n型电极焊盘设置于所述n型半导体层与所述p型电极焊盘相对的第二边缘，该n型辅助电极连接到所述n型电极焊盘。该n型辅助电极向设置p型电极焊盘的第一边缘延伸，该p型辅助电极向设置所述n型电极焊盘的第二边缘延伸，该n型辅助电极和p型辅助电极彼此平行，使得p型电极设置于该n型电极周围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：衬底；依次形成于所述衬底上的n型半导体层，有源层和p型半导体层；包括p型电极焊盘和p型辅助电极的p型电极，所述p型电极焊盘设置于所述p型半导体层的第一边缘，所述p型辅助电极连接到所述p型电极焊盘；以及包括n型电极焊盘和n型辅助电极的n型电极，所述n型电极焊盘设置于所述n型半导体层上与所述p型电极焊盘相反的第二边缘，所述n型辅助电极连接到所述n型电极焊盘，其中所述n型辅助电极向设置所述p型电极焊盘的第一边缘延伸，所述p型辅助电极向设置所述n型电极焊盘的第二边缘延伸，所述n型辅助电极和所述p型辅助电极彼此平行，使得所述p型电极设置于所述n型电极周围。
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