[发明专利]平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法有效
| 申请号： | 201110174027.9 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102295264A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 迪恩.当;泰.多恩;杰弗里.C.马林;安东尼.K.斯塔姆珀 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B3/00;B81C99/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括在衬底上形成多个分离导线。该方法还包括在该分离导线上形成牺牲腔体层。该方法还包括在该牺牲腔体层的上表面形成沟槽。该方法还包括用电介质材料填充沟槽。该方法还包括在该牺牲腔体层和该电介质材料上沉积金属以形成具有从其底表面延伸的至少一个电介质缓冲器的梁。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 微机 系统 相关 结构 制造 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种形成至少一个微机电系统的方法，包括：在衬底上形成多个分离导线；在该分离导线上形成牺牲腔体层；在该牺牲腔体层的上表面形成沟槽；用电介质材料填充该沟槽；以及在该牺牲腔体层和该电介质材料上沉积金属以形成梁，该梁具有从其底表面延伸的至少一个电介质缓冲器。
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