[发明专利]一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法有效
| 申请号： | 201110174062.0 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102254795A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 程新红;张有为;徐大伟;王中健;夏超;俞跃辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法，包括：提供过渡金属基底；在过渡金属基底表面涂布光刻胶，形成光刻胶层；通过曝光显影将定义图案转移至光刻胶层，形成光刻胶图形；以光刻胶层为掩膜，在过渡金属基底内进行碳离子注入，形成碳离子注入区域；碳离子注入的注入角度是根据所需石墨烯宽度结合光刻胶层的掩膜厚度以及光刻胶图形的宽度计算得到的；去除光刻胶层；进行热退火处理，将碳原子从碳离子注入区域中析出重构，在过渡金属基底表面形成宽度接近甚至小于10nm的一维尺度受限的石墨烯纳米带。相比于现有技术，本发明通过计算以特定的注入角度进行碳离子注入，制备出石墨烯纳米带，具有制备精确、制备工艺流程简单、产量高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺度 受限 石墨 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种一维尺度受限的石墨烯纳米带的制备方法，其特征在于，包括：提供过渡金属基底；在所述过渡金属基底表面涂布光刻胶，形成光刻胶层；通过曝光显影将定义图案转移至所述光刻胶层上，形成光刻胶图形；进行碳离子注入工艺，以所述光刻胶层为掩膜，在所述过渡金属基底内进行碳离子注入，形成碳离子注入区域；所述碳离子注入的注入角度是根据所需石墨烯宽度结合所述光刻胶层的掩膜厚度以及所述光刻胶图形的宽度计算得到的；去除所述光刻胶层；进行热退火处理，将碳原子从所述过渡金属基底的碳离子注入区域中析出重构，在所述过渡金属基底的表面形成宽度接近甚至小于10nm的一维尺度受限的石墨烯纳米带。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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