[发明专利]非线性光学晶体硒化镓锗钡及其生长方法与用途无效
| 申请号： | 201110174671.6 | 申请日： | 2011-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102230225A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 叶宁;林新松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B11/00;G02F1/355 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供非线性光学晶体硒化镓锗钡及其生长方法与用途。BaGa2GeSe6化合物，化学式为BaGa2GeSe6，中文名称为硒化镓锗钡，其非线性光学晶体材料，为非对称中心结构，属于三方晶系，空间群为R3，晶胞参数为：a=9.5967(5)Å，b=9.5967(5)Å，c=8.6712(7)Å，α=β=90°，γ=120°，Z=1，V=691.62Å3。它的倍频系数是AgGaS2的6倍。采用固相合成方法在高温下烧结获得BGGSe化合物。使用坩埚下降法可以成功生长出BGGSe单晶体。BaGa2GeSe6具有非线性光学效应，不溶于稀酸，化学稳定性好，可在各种非线性光学领域中得到广泛应用，并将开拓中红外波段的非线性光学应用。 | ||
| 搜索关键词： | 非线性 光学 晶体 硒化镓锗钡 及其 生长 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种BaGa2GeSe6化合物，其特征在于：化学式为BaGa2GeSe6，中文名称为硒化镓锗钡。
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