[发明专利]偏光元件及其制备方法有效
申请号: | 201110174798.8 | 申请日: | 2007-03-30 |
公开(公告)号: | CN102207574A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 冯辰;姜开利;刘亮;张晓波;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;G02B1/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种光学偏光元件及其制备方法。该偏光元件包括一支撑体和一由支撑体支撑的偏光膜,其中,该偏光膜包括至少一碳纳米管薄膜,该至少一碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向择优取向排列。本发明还涉及该偏光元件的制备方法,其包括以下步骤:提供一支撑体;提供至少一层碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜中碳纳米管沿同一方向择优取向排列;以及将所述至少一层碳纳米管薄膜碳纳米管薄膜粘附固定于上述支撑体形成偏光元件。由于碳纳米管具有高温的热稳定性,且对于各种波长的电磁波均有均一的吸收特性,故本发明的偏光元件对于各种波长的电磁波也有均一的偏振吸收性能,具有广泛的应有范围。 | ||
搜索关键词: | 偏光 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种偏光元件的制备方法,包括以下步骤:提供一支撑体;提供至少一层碳纳米管薄膜,该至少一层碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向择优取向排列,该至少一层碳纳米管薄膜为从一碳纳米管阵列中选定多个碳纳米管束,沿基本垂直于碳纳米管生长的方向拉伸该多个碳纳米管束,形成的连续的碳纳米管薄膜;以及将所述至少一层碳纳米管薄膜粘附固定于上述支撑体形成偏光元件,其特征在于,上述碳纳米管阵列的制备方法包括以下步骤:提供一平整基底;在基底表面均匀形成一催化剂层;将所述形成有催化剂层的基底在700~900℃的空气中退火约30分钟~90分钟;以及将处理过的基底置于反应炉中,在保护气体环境下加热到500~740℃,然后通入碳源气反应约5~30分钟,生长得到高度为200~400微米的碳纳米管阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司,未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110174798.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电动吸尘器
- 下一篇:移动数字产品的定价分成处理方法、装置和系统