[发明专利]一种提高蓝宝石衬底氮化镓外延层均匀性的方法有效
| 申请号： | 201110174926.9 | 申请日： | 2011-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102856442A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 邵慧慧;徐现刚;曲爽;王成新;李树强 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B23K26/40 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高蓝宝石衬底氮化镓外延层均匀性的方法，主要是采用激光在蓝宝石衬底正面或背面激光划片，划出0.1mil×0.1mil～100mil×100mil的正方形图形，然后利用光刻在正方形区域内做出圆形图形，直径2μm～3μm，制备出蓝宝石图形衬底，再通过MOCVD生长GaN-LED，该方法减少GaN生长过程中产生的应力，提高了生长的均匀性。另外，此方法生长完GaN-LED后，制备出管芯可以直接裂片，减少一步划片裂片工艺，节省工艺制备时间，提高效率。激光划出的槽面可以增加管芯出光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 蓝宝石 衬底 氮化 外延 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种提高蓝宝石衬底氮化镓外延层均匀性的方法，包括以下步骤：(1)利用激光划片机对蓝宝石衬底进行激光划片，用激光在蓝宝石衬底正面或者背面上划出0.1mil×0.1mil～100mil×100mil的正方形图形，制得蓝宝石平板衬底；(2)在所得蓝宝石平板衬底上采用MOCVD法生长GaN外延层，用于制备LED。
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