[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效

申请号：	201110175568.3	申请日：	2011-06-27
公开（公告）号：	CN102856198A	公开（公告）日：	2013-01-02
发明（设计）人：	尹海洲;朱慧珑;骆志炯	申请（专利权）人：	中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10
代理公司：	北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370	代理人：	朱海波
地址：	100029 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，并在所述SOI衬底上形成栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的所述SOI衬底的SOI层和BOX层，以形成暴露所述BOX层的沟槽，该沟槽部分进入所述BOX层；在所述沟槽的侧壁形成侧墙；在所述沟槽内形成覆盖所述侧墙的金属层，该金属层与所述栅极结构下方的所述SOI层相接触。相应地，本发明还提供一种使用上述方法形成的半导体结构。本发明提供的制造方法和半导体结构使得半导体器件在工作时金属层与SOI衬底的体硅层之间的电容减小，有利于提升半导体器件的性能。
搜索关键词：	一种半导体结构及其制造方法
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【主权项】：

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，该方法包括：a)提供SOI衬底，并在所述SOI衬底上形成栅极结构(200)；b)刻蚀所述栅极结构(200)两侧的所述SOI衬底的SOI层(100)和BOX层(110)，以形成暴露所述BOX层(110)的沟槽(140)，该沟槽(140)部分进入所述BOX层(110)；c)在所述沟槽(140)的侧壁形成侧墙(160)；d)在所述沟槽(140)内形成覆盖所述侧墙(160)的金属层(150)，该金属层(150)与所述栅极结构(200)下方的所述SOI层(100)相接触。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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