[发明专利]传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201110175619.2 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102313621A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | S·K·加米奇;N·V·曼特拉瓦迪;M·克利茨克;T·L·库克森 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | G01L7/08 | 分类号： | G01L7/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的第一器件晶片(100)，其然后接合到包括绝缘体上硅晶片的第二器件晶片(200)以形成通气的悬置结构，该结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量差分压力。在一个实施例中，嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于测量环境的力的传感器，所述传感器包括：在衬底晶片(300)中从所述衬底晶片(300)的顶面延伸到所述衬底晶片(300)的外表面的通气孔腔(330)；第一器件层(210)，其中所述第一器件层(210)的底面接合到所述衬底晶片(300)的所述顶面；延伸通过所述第一器件层(210)到所述通气孔腔(330)的膜片腔(230)；第二器件层(110)，其中所述第二器件层(110)的底面接合到所述第一器件层(210)的顶面以在所述膜片腔(230)上形成膜片(130)；以及接近所述膜片(130)在所述第二器件层(110)中用于感测所述膜片(130)中的挠曲的感测元件(140)。
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