[发明专利]半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法无效
| 申请号： | 201110176487.5 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102243999A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 张永福 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法，包括如下步骤：形成基准折射率的氮化硅层；对所述氮化硅层进行快速热处理以改变所述氮化硅层的折射率。本发明的氮化硅层的制备方法不需要改变氮化硅沉积过程的工艺参数，就可以获得不同折射率的氮化硅层，制备周期短，工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 过程 氮化 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：形成基准折射率的氮化硅层；对所述氮化硅层进行快速热处理以改变所述氮化硅层的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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