[发明专利]MOS功率半导体器件有效
| 申请号： | 201110176519.1 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102244100A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王颢 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MOS功率半导体器件。本发明的MOS功率半导体器件，包括多个晶体管晶胞，所述晶体管晶胞采用微缩工艺形成，每一所述晶体管晶胞包括衬底、形成于所述衬底的一侧表面的外延层以及形成于所述外延层内的浅结结构。本发明有利于从整体上提高MOS功率半导体器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | mos 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种MOS功率半导体器件，包括多个晶体管晶胞，其特征在于，所述晶体管晶胞采用微缩工艺形成，每一所述晶体管晶胞包括衬底、形成于所述衬底的一侧表面的外延层以及形成于所述外延层内的浅结结构。
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