[发明专利]微细结构体及微细结构体制备方法有效
| 申请号： | 201110176921.X | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN102315194A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 山下广祐;畠中优介 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;B81B1/00;B81C1/00;H05K3/42;H01B5/16;C25D11/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种微细结构体和制备这种微细结构体的方法，所述微细结构体能够提供能减少布线缺陷的各向异性导电部件。所述微细结构体包括形成于绝缘基体中并被金属和绝缘物质填充的通孔。所述通孔具有1×106至1×1010个孔/mm2的密度，10nm至5000nm的平均开口直径，以及10μm至1000μm的平均深度。通孔由金属单独实现的封孔率为80％以上，并且通孔由金属和绝缘物质实现的封孔率为99％以上。所述绝缘物质是选自以下各项中的至少一种：氢氧化铝、二氧化硅、金属醇盐、氯化锂、氧化钛、氧化镁、氧化钽、氧化铌和氧化锆。 | ||
| 搜索关键词： | 微细 结构 体制 方法 | ||
【主权项】：
一种微细结构体，所述微细结构体包括通孔，所述通孔形成于绝缘基体中并填充有金属和绝缘物质，其中所述通孔具有1×106至1×1010个孔/mm2的密度，10nm至5000nm的平均开口直径，以及10μm至1000μm的平均深度，其中通过所述金属单独实现的所述通孔的封孔率为80％以上，其中通过所述金属和所述绝缘物质实现的所述通孔的封孔率为99％以上，并且其中所述绝缘物质是选自以下各项中的至少一种：氢氧化铝、二氧化硅、金属醇盐、氯化锂、氧化钛、氧化镁、氧化钽、氧化铌和氧化锆。
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