[发明专利]一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件有效
| 申请号： | 201110177163.3 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102244102A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 林曦;王玮;王鹏飞;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属-绝缘体器件。本发明包括：半导体衬底，所述半导体衬底之上的源极、漏极、隧穿绝缘体层、金属层；所述金属层、隧穿绝缘体层与所述半导体衬底构成一个MIS结构；还包括一栅绝缘体层和栅绝缘体层之上围绕所述MIS结构一周的栅极。本发明采用平台工艺制作了基于量子隧穿效应的栅控金属-绝缘体器件，采用围栅型栅极对器件进行控制，增强了栅极的控制能力，同时，通过对围栅型栅控金属-绝缘体器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，将漏电流减小到远远小于普通二极管的程度,降低了芯片功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电子 围栅型栅控 金属 绝缘体 器件 | ||
【主权项】：
一种基于电子隧穿的围栅型栅控金属‑绝缘体器件，包括：一个半导体衬底；位于所述半导体衬底之上形成的源极；位于所述半导体衬底之上形成的漏极；位于所述半导体衬底表面形成的隧穿绝缘体层；位于所述隧穿绝缘体层之间形成的金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与所述半导体衬底构成一个MIS结构；其特征在于，还包括：覆盖所述半导体衬底与所述MIS结构形成的栅绝缘体层；位于所述栅绝缘体层之上围绕所述MIS结构一周形成的栅极。
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