[发明专利]一种基于金属-绝缘体-半导体结构的量子效应器件有效
| 申请号： | 201110177230.1 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102231391A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 林曦;王玮;王鹏飞;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于金属-绝缘体-半导体（MIS）结构的量子效应器件。本发明包括：一个半导体衬底，位于半导体衬底之上的源极、漏极、隧穿绝缘体层、金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与半导体衬底构成一个MIS结构；还包括：位于所述MIS结构一侧的栅极以及位于所述MIS结构与所述栅极之间的栅绝缘体层。本发明将量子隧穿效应和一种栅控二极管结合在一起，采用平台工艺制作出基于量子隧穿效应的栅控金属绝缘体半导体二极管。通过对量子效应器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，将漏电流减小到远远小于普通二极管的程度,降低了芯片功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 绝缘体 半导体 结构 量子 效应 器件 | ||
【主权项】：
一种基于金属 绝缘体 半导体结构的量子效应器件，包括：一个半导体衬底；位于所述半导体衬底之上形成的源极；位于所述半导体衬底之上形成的漏极；位于所述半导体衬底表面形成的隧穿绝缘体层；位于所述漏极与所述隧穿绝缘体层之间形成的金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与所述半导体衬底构成一个MIS结构；其特征在于，还包括：位于所述半导体衬底之上所述MIS结构一侧形成的栅极；位于所述MIS结构与所述栅极之间形成的栅绝缘体层。
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