[发明专利]碳化硅PIN微结构的制作方法无效
| 申请号： | 201110177841.6 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102254798A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 孙国胜;吴海雷;郑柳;刘兴昉;王雷;赵万顺;闫果果 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳化硅PiN微结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一n型碳化硅衬底；步骤2：对n型碳化硅衬底的表面进行氢气刻蚀；步骤3：在n型碳化硅衬底上生长n-型变浓度缓冲层；步骤4：在n-型变浓度缓冲层上外延生长本征外延层；步骤5：采用离子注入法，在本征外延层上制备P型层；步骤6：退火，完成碳化硅PIN微结构的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 pin 微结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅PiN微结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一n型碳化硅衬底；步骤2：对n型碳化硅衬底的表面进行氢气刻蚀；步骤3：在n型碳化硅衬底上生长n‑型变浓度缓冲层；步骤4：在n‑型变浓度缓冲层上外延生长本征外延层；步骤5：采用离子注入法，在本征外延层上制备P型层；步骤6：退火，完成碳化硅PiN微结构的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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