[发明专利]激光器二极管有效
| 申请号： | 201110177855.8 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102315589A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 小幡俊之;川西秀和 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光器二极管，该激光器二极管在L-I特性方面具有改善的扭折水平并且在水平横向模式方面能够获得稳定的高输出。该激光器二极管包括：有源层，由包括3B族元素中的至少镓(Ga)和5B族元素中的至少氮(N)的氮化物III-V族化合物半导体制成；n型化合物半导体层，提供在有源层一个表面上；以及p型化合物半导体层，提供在有源层的另一个表面上。n型化合物半导体层中的最靠近有源层的区域是高浓度区域，该高浓度区域的杂质浓度高于其它n型区域的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 激光器 二极管 | ||
【主权项】：
一种激光器二极管，包括：有源层，由包括3B族元素中的至少镓和5B族元素中的至少氮的氮化物III‑V族化合物半导体制成；n型化合物半导体层，提供在所述有源层的一个表面上；以及p型化合物半导体层，提供在所述有源层的另一个表面上，其中在所述n型化合物半导体层中最靠近所述有源层的区域是高浓度区域，该高浓度区域的杂质浓度高于其它n型区域的杂质浓度。
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