[发明专利]一种铜纳米线/铜膜复合结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201110179386.3 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102345096A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 苏江滨;蒋美萍;李星星;潘丁娟 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜纳米线/铜膜复合结构及其制备方法，目的是提供一种铜纳米线/铜膜复合结构及其磁控溅射制备方法。本发明采用小沉积角度的直流磁控溅射掠射沉积技术，通过适当调节薄膜厚度、衬底温度和衬底偏压，在玻璃衬底上制备了一种铜纳米线/铜膜复合结构。本发明所提供的铜纳米线/铜膜复合结构中，铜纳米线表面光滑、径向粗细均匀，长度为0.1～5mm、直径为100～500nm，铜膜的厚度为50～100nm。而且，铜纳米线平行于铜膜表面、镶嵌在厚度比铜纳米线直径还小的铜膜中。本发明在金属铜膜表面镶嵌了亚波长的铜纳米线，这在与表面等离子体相关的领域可能具有潜在应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜纳米线/铜膜复合结构，其特征在于：铜纳米线表面光滑，径向粗细均匀，长度为0.1～5 mm、直径为100～500 nm，铜膜的厚度为50～100 nm，铜纳米线平行于铜膜表面并镶嵌在铜膜中。
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