[发明专利]具有绒面的铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法有效
申请号: | 201110179746.X | 申请日: | 2011-06-29 |
公开(公告)号: | CN102231398A | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
发明(设计)人: | 李玉飞;肖旭东;宋秋明;杨春雷;卢兰兰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜电池,包括依次叠合的玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层,所述玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层的表面均为粗糙度相同的绒面。上述铜铟镓硒薄膜电池的玻璃衬底表面为绒面,生长得到的薄膜电池表面不平整,从而起到陷光作用。当太阳光入射时,由于绒面结构的存在,其入射光会与电池表面形成一定角度,从而增加光生载流子在P-N结区产生的几率,最终提高光生电流。 | ||
搜索关键词: | 具有 铜铟镓硒 薄膜 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铜铟镓硒薄膜电池,包括依次叠合的玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层,其特征在于:所述玻璃衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层及窗口层的表面均为粗糙度相同的绒面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的