[发明专利]一种具有高负磁导率的超材料有效
| 申请号： | 201110179791.5 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102800981A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;栾琳;寇超锋;叶金财 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高负磁导率的超材料，包括基材和附着在所述基材上的人造微结构，人造微结构包括开口“凹”形环，所述人造微结构还包括嵌套在开口“凹”形环内的“山”形结构，所述“山”形结构的中间线从开口“凹”形环的开口处伸出。包含这种人造微结构的超材料的负磁导率得到了大幅的提高，这种高磁负导率的超材料可以应用在天线制造以及医疗设备制造，透镜等领域，对微波器件的小型化产生也会产生不可估量的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 磁导率 材料 | ||
【主权项】：
一种具有高负磁导率的超材料，包括基材和附着在所述基材上的人造微结构，所述人造微结构包括开口“凹”形环，其特征在于，所述人造微结构还包括嵌套在开口“凹”形环内的“山”形结构，所述“山”形结构的中间线从开口“凹”形环的开口处伸出。
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