[发明专利]半导体集成电路装置无效
| 申请号： | 201110180489.1 | 申请日： | 2006-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102354249A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 伊藤稔 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G05F3/16 | 分类号： | G05F3/16;G01R19/165 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 郑海涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 具有任意设定的漏电流检测倍率不取决于电源电压、温度或制造偏差，且易于检测漏电流的漏电流检测电路的半导体集成电路装置以及电子装置。半导体集成电路装置(100)从两个NchMIS晶体管的中间取出稳定的电位Vg2，将以该电位作为栅极电位的NchMOS晶体管Tn5的漏极电流使用电流镜电路(112)放大至任意倍率的电流值，并使该电流值流过其栅极与漏极连接的NchMOS晶体管Tn2，将该NchMOS晶体管Tn2的漏极电位Vg1施加到漏电流检测NchMOS晶体管Tn1的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路装置，包括：第一的第一导电型金属绝缘半导体(Metal Insulated Semiconductor，MIS)晶体管，其源极被连接到第一电源；第二的第一导电型金属绝缘半导体晶体管，其源极被连接到所述第一的第一导电型金属绝缘半导体晶体管的漏极，且其漏极被连接到第一电流源；第四的第一导电型金属绝缘半导体晶体管，其源极被连接到所述第一电源，使其栅极与其漏极共用，并连接到所述第一的第一导电型金属绝缘半导体晶体管和所述第二的第一导电型金属绝缘半导体晶体管各自的栅极及第二电流源；以及电流镜电路，其源极被连接到所述第一电源，且将所述第一的第一导电型金属绝缘半导体晶体管的漏极电位作为栅极电位的第三的第一导电型金属绝缘半导体晶体管的漏极电流放大或削弱至任意倍率的电流值，其中，使所述第一的第一导电型金属绝缘半导体晶体管、所述第二的第一导电型金属绝缘半导体晶体管、及所述第四的第一导电型金属绝缘半导体晶体管的栅极电位，与所述第一电源的电位的差的绝对值等于或小于所述第一、第二及第四的第一导电型金属绝缘半导体晶体管的阈值电压，以使所述第一、第二及第四的第一导电型金属绝缘半导体晶体管在亚阈值区动作。
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