[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110180598.3 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102386221A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 山田敦史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/78;H01L29/51;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种化合物半导体器件包括：衬底；化合物半导体层，形成在所述衬底上方；以及栅电极，形成在所述化合物半导体层上方，在所述化合物半导体层和所述栅电极之间设置有栅绝缘膜。所述栅绝缘膜包括具有反转自发极化的第一层，其自发极化的方向与所述化合物半导体层的自发极化相反。本发明通过相对简单的结构可实现常闭操作，而不会引起诸如表面电阻的增加、栅漏电流的增加、以及输出功率的减小等不便。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；化合物半导体层，形成在所述衬底上方；以及栅电极，形成在所述化合物半导体层上方，在所述化合物半导体层和所述栅电极之间设置有栅绝缘膜，所述栅绝缘膜包括具有反转自发极化的第一层，其自发极化的方向与所述化合物半导体层的自发极化相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110180598.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：温度估计系统和方法
- 下一篇：提高太阳能热电站净电力的方法
- 同类专利
- 专利分类
