[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201110180768.8 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102856204A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层具有开口，所述开口暴露半导体衬底，所述开口两侧形成有源、漏区；还包括：在所述开口底部形成半导体填充层；形成填充满所述开口的栅极结构。本发明还提供通过上述方法所形成的MOS晶体管，以及采用上述方法的CMOS晶体管的形成方法，及相应的CMOS晶体管，通过本发明可以降低PMOS晶体管的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层具有开口，所述开口暴露半导体衬底，所述开口两侧形成有源、漏区；其特征在于，还包括：在所述开口底部形成半导体填充层；形成填充满所述开口的栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
