[发明专利]石墨烯导电插塞及其形成方法有效
| 申请号： | 201110180781.3 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102856277A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 胡敏达;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种石墨烯导电插塞及其形成方法，其中，所述石墨烯导电插塞包括：目标衬底，位于所述目标衬底表面的介质层，位于所述目标衬底表面且贯穿所述介质层的辅助金属柱，所述辅助金属柱的侧壁形成有隔离所述介质层的石墨烯薄膜。利用所述石墨烯薄膜来连通上下两层导电层可降低导电插塞的电阻，且所述石墨烯薄膜作为阻挡层可防止辅助金属柱的侧壁与介质层发生反应。所述石墨烯导电插塞是利用自对准工艺形成，所述辅助金属柱是由金属层刻蚀而成的，形成的导电插塞内不会形成有孔洞，从而不会影响导电插塞的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 导电 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯导电插塞，包括目标衬底，位于所述目标衬底表面的介质层，其特征在于，还包括：位于所述目标衬底表面且贯穿所述介质层的辅助金属柱，所述辅助金属柱侧壁形成有隔离所述介质层的石墨烯薄膜。
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