[发明专利]一种温度补偿型片式多层陶瓷电容器的制备方法有效
| 申请号： | 201110181102.4 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102354599A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 祝忠勇;陆亨;宋子峰 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/00 | 分类号： | H01G4/00;H01G4/008;H01G4/12;H01G4/232 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 杨利娟 |
| 地址： | 526020 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种片式多层陶瓷电容器的制备方法，主要由瓷浆制备、流延介质膜片、交替叠印内电极和介质层、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序组成，在瓷浆制备中，所用的瓷料是CaZrO3和SrTiO3瓷料，CaZrO3与SrTiO3的重量比是1：（1.5～3）；所述的排胶最高温度是270～290℃；所述的烧结最高温度是1270～1300℃，烧结保温时间2-3小时，本发明大大降低了生产成本，同时可实现镍贱金属电极的温度补偿型多层化陶瓷电容器的制备。该电容很适合用于汽车电子、照明电子等我国新兴产业领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 补偿 型片式 多层 陶瓷 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种片式多层陶瓷电容器的制备方法，主要由瓷浆制备、流延介质膜片、交替叠印内电极和介质层、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序组成，所述的交替叠印内电极和介质层工序中，内电极材料是镍Ni，所述的封端工序中，端电极材料是铜Cu，其特征在于：在瓷浆制备中，所用的瓷料是CaZrO3和SrTiO3瓷料，CaZrO3与SrTiO3的重量比是1：（1.5～3）；所述的排胶最高温度是270～290℃，排胶时间是57～60小时；所述的烧结最高温度是1270～1300℃，烧结保温时间2 3小时，当烧结时从室温到1000℃升温速率为3 4℃/min，1000℃至最高温的升温速率控制在2 2.5℃/min，降温速率为3 4℃/min，整个烧结过程在含H2的N2气氛保护下进行的，H2体积含量控制在气氛总量的0.5 3%。
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