[发明专利]培养基体、应用该培养基体的移植体及移植体的制备方法有效
| 申请号： | 201110181525.6 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102847199A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 冯辰;范立;赵文美 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | A61L27/38 | 分类号： | A61L27/38;A61L27/60;A61L27/08;A61F2/02;C12N5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种移植体，其包括一碳纳米管结构及一生物组织，所述碳纳米管结构的表面被极化，形成一极性化表面，所述生物组织吸附在该碳纳米管结构的极性化表面。本发明还提供一种上述移植体的制备方法，其包括如下步骤：提供一培养基体，该培养基体包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构被极化，形成一极性化表面；在所述碳纳米管结构的极性化表面种植多个细胞；以及培养所述多个细胞直到该多个细胞生长形成一生物组织。本发明还提供一种培养基体，用于培养所述生物组织，其包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构的表面被极化，形成一极性化表面，该极性化表面具有与待培养的生物组织相匹配的电荷极性。 | ||
| 搜索关键词： | 培养 基体 应用 移植 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种移植体的制备方法，其包括如下步骤：提供一培养基体，该培养基体包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构被极化，形成一极性化表面；在所述碳纳米管结构的极性化表面种植多个细胞；以及培养所述多个细胞直到该多个细胞生长形成一生物组织。
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