[发明专利]压力调控薄膜晶体管及其应用有效
| 申请号： | 201110181626.3 | 申请日： | 2011-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102856395A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 胡春华;刘长洪;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/96 | 分类号： | H01L29/96;H01L29/51 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种压力调控薄膜晶体管，其包括：一源极；一与该源极间隔设置的漏极；一半导体层，该半导体层与所述源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置；其中，所述绝缘层为一高分子材料层，该高分子材料层的弹性模量为0.1兆帕至10兆帕，在所述绝缘层上施加一垂直于所述绝缘层的压力，该压力导致所述绝缘层的厚度发生变化，所述栅极电容与该厚度成反比，所述源极和漏极之间的电流与该栅极电容成正比。本发明还涉及一应用该压力调控薄膜晶体管的压力感应装置。 | ||
| 搜索关键词： | 压力 调控 薄膜晶体管 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种压力调控薄膜晶体管，其包括：一源极；一与该源极间隔设置的漏极；一半导体层，该半导体层与所述源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置；其中，所述绝缘层为一高分子材料层，该高分子材料层的弹性模量为0.1兆帕至10兆帕，在所述绝缘层上施加一垂直于所述绝缘层的压力，该压力导致所述绝缘层的厚度发生变化，所述栅极电容与该厚度成反比，所述源极和漏极之间的电流与该栅极电容成正比。
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