[发明专利]碳化硅环状电极PIN型核电池

摘要

本发明公开了一种碳化硅环状电极PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池转化效率低的问题。本发明自上而下依次包括放射性同位素源层(1)、SiO2钝化层(3)、SiO2致密绝缘层(2)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm-3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该p型欧姆接触电极(4)采用中心为一个圆环，周围是以该中心为圆心的多个圆环结构，环间由多个矩形条相连，环的外围留有多个引脚，同位素源层(1)覆盖在p型欧姆接触电极(4)的表面。本发明具有能量转换效率高的优点，可作为MEMS片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。

主权项

一种基于碳化硅的PIN型核电池，自上而下依次包括放射性同位素源层(1)、SiO2钝化层(3)、SiO2致密绝缘层(2)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm‑3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015～5×1015cm‑3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm‑3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)，其特征在于p型欧姆接触电极(4)采用同心圆环结构，该环结构的中心是一个半径为R的圆环，周围是m个以该中心为圆心的同心圆环，m≥2，环间由n个宽度为T的矩形条相连，n≥4，环的外围留有四个引脚，引脚为正方形条，其边长为a，放射性同位素源层(1)覆盖在圆形接触电极的表面。