[发明专利]薄膜太阳电池及其制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜太阳电池及其制造方法。本发明的制造方法包括：提供一衬底，在衬底上形成透明导电氧化物层；在该透明导电氧化物层上形成包括N型掺杂层，非晶硅本征吸收层和P型掺杂层的PiN结或NiP结；在PiN结或NiP结上形成背电极层；其特征在于：在所述PiN结或所述NiP结中的P型掺杂层和非晶硅本征吸收层之间，形成界面缓冲层，所述界面缓冲层包括与P型掺杂层接触的非晶硅碳层缓冲层和与非晶硅本征吸收层接触的Protocrystalline阻挡层；所述Protocrystalline阻挡层为处于非晶硅/微晶硅过渡区域的靠近非晶硅一侧的非晶硅薄膜。本发明还提供一种使用该方法形成的电池结构。本发明解决了现有薄膜太阳电池缓冲层的缺陷，有效解决了碳元素和硼元素的扩散问题以及温度切换带来的问题，具有大规模应用的前景。

主权项

一种制造薄膜太阳电池的方法，包括以下步骤：提供一衬底(100)，在所述衬底(100)上形成透明导电氧化物层(200)；在所述透明导电氧化物层(200)上形成PiN结(800)或NiP结(900)，所述PiN结(800)或NiP结(900)包括：N型掺杂层(500)，非晶硅本征吸收层(400)和P型掺杂层(300)；在所述PiN结(800)或NiP结(900)上形成背电极层(600)；其特征在于：在所述PiN结(800)或所述NiP结(900)中的P型掺杂层(300)和非晶硅本征吸收层(400)之间，形成界面缓冲层(700)，所述界面缓冲层(700)包括与P型掺杂层(300)接触的非晶硅碳缓冲层(710)和与非晶硅本征吸收层(400)接触的Protocrystalline阻挡层(720)；所述Protocrystalline阻挡层(720)为处于非晶硅/微晶硅过渡区域的靠近非晶硅一侧的非晶硅薄膜。