[发明专利]IGBT结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110183372.9 | 申请日： | 2011-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102412270A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张帅;刘坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/739;H01L21/265;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT结构，该IGBT结构中的集电极区域和基区之间的PN结界面为类波浪形界面。这种结构增大了PN结界面的实际面积，将有效提高IGBT集电极端的单位硅片面积发射效率，提高了器件的导电能力。本发明还公开了一种IGBT结构的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT结构，其特征在于：所述IGBT结构的集电极区域和基区之间的PN结界面为类波浪形界面。
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