[发明专利]一种提高刻蚀速率选择比稳定性的管道系统及方法

摘要

本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种提高刻蚀速率选择比稳定性的管道系统及方法。本发明一种提高刻蚀速率选择比稳定性的管道系统及方法，通过添加辅助槽及与多个工艺槽连接形成循环，从而各工艺槽中刻蚀溶液趋于相同，刻蚀速率也趋于相同，且由于参与循环的刻蚀溶液体积变大，SiO2含量变化也相对减小，因而刻蚀选择比也相对稳定；而取消换酸设置，改为每隔一段时间或是每生产一定量的硅片后，排掉少量的刻蚀溶液，从辅助槽中补充刻蚀溶液，从而解决新刻蚀溶液中SiO2含量相对偏高时，当对氮化硅进行刻蚀，会对氧化膜造成较大的损伤的问题。

主权项

一种提高刻蚀速率选择比稳定性的管道系统，包括数个工艺槽，其特征在于，还包括：第一辅助槽和第二辅助槽，所述工艺槽与所述第一辅助槽之间通过供应管连接，所述工艺槽与所述第二辅助槽之间通过循环管连接，所述第一辅助槽与所述第二辅助槽通过辅助槽间循环管连接。