[发明专利]在钛种植体表面制备阶段性可吸收HA/ACP复合涂层的方法无效
| 申请号： | 201110183842.1 | 申请日： | 2011-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102286764A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王小祥;李登虎;焦明洁;林东洋;江源胜 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C25D9/08 | 分类号： | C25D9/08;A61L27/06;A61L27/32;A61L27/42 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 陈昱彤 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种在钛种植体表面制备阶段性可吸收HA/ACP复合涂层的方法。以铂作为阳极、金属钛基体作为阴极，先将两电极浸没在含有羟基磷灰石构成元素的电解液的容器中，使金属钛基体表面发生阴极还原反应，由此在所述金属钛基体表面先沉积一层HA涂层；后将两电极取出再浸没于含有无定形磷酸钙构成元素和无定形磷酸钙的稳定离子的电解液的容器中，使所述金属钛基体表面继续发生阴极还原反应，由此在HA涂层的表面再沉积一层ACP涂层，从而在金属钛基体表面沉积HA/ACP复合涂层；后清洗去除金属钛基体表面附着的电解液，在干燥箱中干燥。本发明形成的复合涂层具有更好的生物活性，可在种植体植入期间全程调控生物反应。 | ||
| 搜索关键词： | 种植 体表 制备 阶段性 吸收 ha acp 复合 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种在钛种植体表面制备阶段性可吸收HA/ACP复合涂层的方法，包括以下步骤：（1）在第一容器中加入含有羟基磷灰石构成元素的第一电解液，并将第一容器放入恒温加热系统中，温度设定为60~85℃；以铂作为阳极、金属钛基体作为阴极，并将两电极之间的直流电压设为3.0V，两电极之间的距离控制为2cm；将两电极浸没在第一电解液中，使所述金属钛基体表面发生阴极还原反应15~60min ，由此在所述金属钛基体表面先沉积一层HA涂层；（2）在第二容器中加入含有无定形磷酸钙构成元素和无定形磷酸钙的稳定离子的第二电解液，并将第二容器放入恒温加热系统中，温度设定为37~60℃；将经步骤（1）处理的两电极取出再浸没于所述第二电解液中，使所述金属钛基体表面继续发生阴极还原反应15~60min，由此在所述HA涂层的表面再沉积一层ACP涂层；（3）将表面沉积了HA/ACP复合涂层的金属钛基体取出清洗，去除其表面附着的电解液，在干燥箱中干燥。
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