[发明专利]制备ZnO/Cu2O异质结材料及ZnO/Cu2O三维结构异质结太阳电池的方法无效
| 申请号： | 201110183993.7 | 申请日： | 2011-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102268706A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 武卫兵;李梅;胡广达 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 250022 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备ZnO/Cu2O异质结材料及ZnO/Cu2O三维结构异质结太阳电池的方法，异质结材料的制备方法包括液相生长法在基底上生长n型ZnO纳米棒阵列薄膜、以碱性铜盐溶液为电解液，在-0.4~-0.6V的沉积电位下沉积60-150s，将p型Cu2O电化学沉积在ZnO纳米棒表面，形成Cu2O种子层；以碱性铜盐溶液为沉积溶液，在-0.05～-0.3V的沉积电位下再次采用电化学沉积法将Cu2O自下而上充分填充到纳米棒阵列的空隙中形成ZnO/Cu2O三维结构异质结材料。本发明Cu2O半导体薄膜的填充深度和致密度增加，界面缺陷减少，所制异质结电池电池效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 zno cu sub 异质结 材料 三维 结构 太阳电池 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO/Cu2O异质结材料的制备方法，该异质结材料包括基底、液相生长在基底上的n型ZnO纳米棒阵列薄膜和采用沉积法填充在ZnO纳米棒中的Cu2O薄膜，其特征是，Cu2O薄膜的填充过程包括以下步骤：（1）以碱性铜盐溶液为电解液，在‑0.4 ~ ‑0.6V的沉积电位下沉积60‑150s，将p型Cu2O电化学沉积在ZnO纳米棒表面，形成Cu2O种子层，实现p型Cu2O半导体对ZnO纳米棒的保形覆盖；（2）以碱性铜盐溶液为沉积溶液，在‑0.05～‑0.3V的沉积电位下再次采用电化学沉积法将Cu2O自下而上充分填充到纳米棒阵列的空隙中，直至Cu2O包覆ZnO纳米棒阵列并超出阵列400‑550nm时停止沉积，形成ZnO/Cu2O三维结构异质结材料。
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