[发明专利]处理装置有效
| 申请号： | 201110184779.3 | 申请日： | 2011-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102315147A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 冈部星儿 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种处理装置，通过在收容器上设置暂时放置因维护等而取下的盖体的空间，从而节省洁净室内的空间。作为收容被处理体的收容室，具有输送室(200)和加载互锁真空室(102)，输送室(200)的容器(210)设置：具有开口部(214)的顶面部(212)、和自由拆装地将该开口部(214)闭塞的盖体(250)，在其顶面部(212)上设置：第一盖体载置区域(Y)，用于暂时载置从作为其他容器的加载互锁真空室(102)的容器(110)上取下的盖体(120)；第二盖体载置区域(X)，用于暂时载置从作为自身容器的输送室(200)的容器(210)上取下的盖体(250)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种处理装置，具有收容被处理体的收容室，其特征在于，所述收容室包括：具有开口部的顶面部和自由拆装地将所述开口部闭塞的盖体，在所述顶面部设置有盖体载置区域，该盖体载置区域用于暂时载置从所述开口部取下的所述盖体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110184779.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于液晶介质的噻吩化合物
- 下一篇：分析辅助工具的节省空间的储存
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
