[发明专利]成像装置、显示成像装置以及电子设备

摘要

本申请披露了成像装置、显示成像装置以及电子设备，该成像装置包括：多个光检测元件，设置在基板上，每个均具有用于沟道区的第一半导体层；以及多个驱动元件，设置在该基板上，每个均具有用于沟道区的第二半导体层，其中，第一和第二半导体层均为结晶化半导体层，第一和第二半导体层的厚度和杂质浓度大致相等，并且第一和第二半导体层均具有不高于2.0×1017(cm-3)的平均陷阱能级密度，该平均陷阱能级密度是在本征费米能级Ei±0.2eV范围内通过FE(场效应)法获得的陷阱能级密度的平均值。

主权项

一种成像装置，包括：多个光检测元件，设置在基板上，每个均具有用于沟道区的第一半导体层；以及多个驱动元件，设置在所述基板上，每个均具有用于沟道区的第二半导体层，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层均为结晶化半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度和杂质浓度大致相等，并且所述第一半导体层和所述第二半导体层均具有不高于2.0×1017cm‑3的平均陷阱能级密度，所述平均陷阱能级密度是在本征费米能级Ei±0.2eV范围内通过场效应法获得的陷阱能级密度的平均值。