[发明专利]一种纳米周期结构光子晶体的制造方法无效

专利信息
申请号: 201110185296.5 申请日: 2011-07-04
公开(公告)号: CN102243438A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 张雄;崔一平 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种纳米周期结构光子晶体的制造方法,包括如下步骤:(1)在样品表面涂一层厚度低于150纳米的感光胶;(2)将反射镜和样品竖直固定在样品台上;(3)通过公式2dSinθ=nλ选择入射到样品表面的激光束波长λ和入射角θ;(4)对样品进行第一次曝光;(5)将固定有样品的样品架旋转60°或者90°后进行第二次曝光,获得具有纳米周期结构的三角格子或者正方格子的光子晶体图案;(6)将经历两次曝光的样品从样品架上取下,进行显影、定影、烘烤、刻蚀系列标准工艺工程,直至在样品表面获得纳米周期结构的光子晶体。本发明提供的方法简单、快速,能够在各种材料表面制成高精度和高对比度的纳米周期结构的光子。
搜索关键词: 一种 纳米 周期 结构 光子 晶体 制造 方法
【主权项】:
一种纳米周期结构光子晶体的制造方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:(1)在经过有机溶剂和去离子水清洗,并以氮气吹干的样品表面,均匀地涂上一层厚度低于150纳米的感光胶;(2)将反射镜竖直固定在样品台上,在所述样品台上设有能够围绕竖直于样品台的轴旋转的样品架,将样品固定在样品架上,且样品表面竖直于样品台;(3)根据光子晶体结构周期d的大小,通过公式2dSinθnλ选择入射到样品表面的激光束波长λ和入射角θ;(4)使用激光光束准直和扩束系统将激光束均匀地扩束到样品表面和反射镜上,对样品进行第一次曝光,并且经反射镜反射后再入射到样品表面的激光束与直接入射到样品表面的激光束形成干涉;(5)将固定有样品的样品架旋转60°或者90°后进行第二次曝光,并且经反射镜反射后再入射到样品表面的激光束与直接入射到样品表面的激光束形成干涉,以获得具有纳米周期结构的三角格子或者正方格子的光子晶体图案;(6)将经历两次曝光的样品从样品架上取下,进行显影、定影、烘烤、刻蚀系列标准工艺工程,直至在样品表面获得纳米周期结构的光子晶体。
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