[发明专利]荧光强度校正方法和荧光强度计算装置有效
| 申请号： | 201110185326.2 | 申请日： | 2011-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102313724A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 加藤泰信;酒井启嗣 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了荧光强度校正方法和荧光强度计算装置，该荧光强度校正方法包括：利用具有不同输入波段的光检测器，接收通过对微粒照射光而被激发的荧光染料所发出的荧光，这些微粒被具有重叠荧光波长的多个荧光染料多重标记；收集光检测器的检测值，得到测定光谱；并且通过从各荧光染料单独标记的微粒得到的单染色光谱的线性和对测定光谱进行近似；其中，使用受限最小二乘法进行利用单染色光谱的线性和的测定光谱的近似。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 强度 校正 方法 计算 装置 | ||
【主权项】：
一种荧光强度校正方法，包括：利用具有不同输入波段的光检测器，接收通过对微粒照射光而被激发的荧光染料所发出的荧光，所述微粒被具有重叠荧光波长的多个荧光染料多重标记；收集所述光检测器的检测值，得到测定光谱；以及通过从各荧光染料单独标记的微粒得到的单染色光谱的线性和对所述测定光谱进行近似；其中，使用受限最小二乘法进行利用所述单染色光谱的线性和的所述测定光谱的近似。
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