[发明专利]多晶硅还原炉无效

专利信息
申请号: 201110185384.5 申请日: 2011-07-01
公开(公告)号: CN102320605A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 严大洲;肖荣晖;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 申请(专利权)人: 中国恩菲工程技术有限公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 宋合成
地址: 100038*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种多晶硅还原炉,包括:底盘和炉体,所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室;三十六对电极,所述三十六对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周,所述第一、第二、第三和第四圆周为以所述底盘中心为圆心且半径依次增大的同心圆周;进气系统,所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴;和排气系统,所述排气系统包括多个排气口,所述排气口设在所述底盘上且位于所述第四圆周与所述炉体之间。根据本发明实施例的多晶硅还原炉,可以合理利用热能,同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量,可以降低热量损耗。
搜索关键词: 多晶 还原
【主权项】:
一种多晶硅还原炉,其特征在于,包括:底盘和炉体,所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室;三十六对电极,所述三十六对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周,所述第一、第二、第三和第四圆周为以所述底盘中心为圆心且半径依次增大的同心圆周;进气系统,所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴;和排气系统,所述排气系统包括多个排气口,所述排气口设在所述底盘上且位于所述第四圆周与所述炉体之间。
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