[发明专利]一种纳米结构的氢氧化钴薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米结构的氢氧化钴薄膜的制备方法，属于纳米材料领域。该制备方法通过在钴盐溶液中加入配位剂氢氟酸生成[CoFx](x-2)-后，加入氨水，提供钴离子水解沉淀需要的OH-，调节溶液的pH值在8.5～9.3，插入预先处理好的基片，并于50～80℃的水浴中加热2～4小时后。取出覆有薄膜的基片经洗涤，自然干燥，即可得到纳米结构的Co(OH)2薄膜。本发明工艺简单，高效快速，反应条件易于控制；且可以通过调节反应溶液中钴盐浓度、F与Co原子比、体系的pH值、加热温度、反应时间等过程参数，来控制薄膜的微观结构。

主权项

一种纳米结构氢氧化钴薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)基片预处理：将基片依次用硝酸、乙醇和蒸馏水超声洗涤，室温自然干燥，待用；2)将钴盐溶于水中配成钴离子浓度为0.01～0.10mol/L的钴盐溶液；3)将氢氟酸加入步骤2)中配制的钴盐溶液中得到混合溶液，其中，F与Co(II)的摩尔比为3∶1～9∶1；4)在步骤3)中得到的混合溶液中滴加氨水调节pH值为8.50～9.30；5)将步骤1)中预处理后的基片垂直放入步骤4)中配制的溶液后，于50～80℃的水浴中搅拌反应2～4小时得到覆有薄膜的基片；6)取出覆有薄膜的基片超声洗涤、室温自然干燥，得到Co(OH)2薄膜。