[发明专利]半导体器件中金属硅化物层电阻的仿真方法

摘要

一种半导体器件中金属硅化物层电阻的仿真方法，通过选取多组硅化物层样本判断所述金属硅化物层是由单相或多相金属硅化物材料构成；对单相金属硅化物材料，以对应方块电阻值作为电阻模型中的方块电阻参数，建立相应电阻模型；对多相金属硅化物材料，根据多相金属硅化物材料在所述金属硅化物层中分布情况，获取各相金属硅化物材料的方块电阻与所述金属硅化物层的方块电阻的关系；基于所述关系形成电阻模型中的方块电阻参数，建立相应电阻模型；在后续对于所述半导体器件中金属硅化物层电阻仿真时，选择相应的电阻模型，结合仿真时所处的电压及温度环境，对所述金属硅化物层电阻进行仿真。从而，能够获得较为精确的金属硅化物电阻模拟结果。

主权项

一种半导体器件中金属硅化物层电阻的仿真方法，其特征在于，包括：对于同一具有金属硅化物层的半导体器件，选取长度或宽度至少有一不相同的多组金属硅化物层样本，测量各组金属硅化物层样本的平均方块电阻；判断各组金属硅化物层样本的平均方块电阻是否相同；若相同，则确定所述半导体器件中的金属硅化物层由单相金属硅化物材料构成；若不相同，则确定所述半导体器件中的金属硅化物层由多相金属硅化物材料构成；对于单相金属硅化物材料，以所述单相金属硅化物材料对应的方块电阻值作为电阻模型中的方块电阻参数，建立单相金属硅化物材料的电阻模型；在后续对于所述半导体器件中金属硅化物层电阻仿真时，基于所述单相金属硅化物材料的电阻模型，结合仿真时的电压及温度环境，对所述金属硅化物层电阻进行仿真；对于多相金属硅化物材料，获取多相金属硅化物材料在所述半导体器件的金属硅化物层中的分布情况；根据所述分布情况，获取各相金属硅化物材料的方块电阻与所述金属硅化物层的方块电阻的关系；基于所述各相金属硅化物材料的方块电阻与所述金属硅化物层的方块电阻的关系形成电阻模型中的方块电阻参数，建立多相金属硅化物材料的电阻模型；在后续对于所述半导体器件中金属硅化物层电阻仿真时，基于所述多相金属硅化物材料的电阻模型，结合仿真时所处的电压及温度环境，对所述金属硅化物层电阻进行仿真。