[发明专利]SRAM存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201110185892.3 | 申请日： | 2011-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102290099A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SRAM存储器及其形成方法，SRAM存储器包括：基底，位于基底上包括多个存储单元的器件层，每个存储单元中包括多个晶体管；位于器件层上具有多个接触插栓的第一介质层；位于第一介质层上的第一互连层；位于第一互连层上具有多个插栓的第二介质层；位于第二介质层上的第二互连层，第二互连层包括多列位线、多列电源线，分别通过第二介质层中、第一介质层中对应的插栓以及互连线与对应的晶体管电连接；位于第二互连层上具有多个插栓的第三介质层；位于第三介质层上的第三互连层，第三互连层包括多行字线、多行地线，分别通过第三介质层中对应的插栓、第二介质层中对应的插栓与相应的晶体管电连接。本技术方案可以减少寄生电容、寄生电阻。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种SRAM存储器，其特征在于，包括：基底，位于所述基底上的器件层，所述器件层包括呈行列排布的多个存储单元，每个存储单元中包括多个晶体管；位于所述器件层上的第一介质层，所述第一介质层中具有多个接触插栓，分别与对应的晶体管电连接；位于所述第一介质层上的第一互连层，所述第一互连层包括多个互连线，分别与第一介质层中对应的接触插栓电连接；位于所述第一互连层上的第二介质层，所述第二介质层中具有多个插栓，分别与对应的互连线电连接；位于所述第二介质层上的第二互连层，所述第二互连层包括多列位线、多列电源线，所述多列位线、多列电源线通过第二介质层中对应的插栓与对应的晶体管电连接；位于所述第二互连层上的第三介质层，所述第三介质层中具有多个插栓，与第二介质层中对应的插栓电连接；位于所述第三介质层上的第三互连层，所述第三互连层包括多行字线、多行地线，所述多行字线、多行地线分别通过第三介质层中对应的插栓、第二介质层中对应的插栓与相应的晶体管电连接。
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