[发明专利]隔离腔体及其制造方法无效
| 申请号： | 201110186032.1 | 申请日： | 2011-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102259829A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张挺;谢志峰;邵凯 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种隔离腔体的制造方法，包括步骤：提供第一基底，在第一基底上刻蚀形成腔体槽；提供第二基底，通过离子注入法在第二基底中形成掺杂层，第二基底被掺杂层从中划分出一表层基底；将第一基底和第二基底面对面进行键合，在第一基底和第二基底之间封闭有腔体；以掺杂层为界，将表层基底与第二基底分割开，表层基底仍保留于第一基底的表面，继续与第一基底之间构成腔体。相应地，本发明还提供一种隔离腔体。本发明采用正面键合工艺，与传统的CMOS制造工艺兼容。本发明将表层基底之外的其余基底的剥离，在腔体的顶部可以仅保留五微米以下的材料，实现了基底厚度的减薄，剩下的基底材料还可以回收利用，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种隔离腔体的制造方法，包括步骤：提供第一基底，在所述第一基底上刻蚀形成腔体槽；提供第二基底，通过离子注入法在所述第二基底中形成掺杂层，所述第二基底被所述掺杂层从中划分出一表层基底；将所述第一基底和所述第二基底面对面进行键合，在所述第一基底和所述第二基底之间封闭有腔体；以及以所述掺杂层为界，将所述表层基底与所述第二基底分割开，所述表层基底仍保留于所述第一基底的表面，继续与所述第一基底之间构成所述腔体。
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