[发明专利]超级结器件及制造方法有效
| 申请号： | 201110186050.X | 申请日： | 2011-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102867842A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结器件，在电流流动区和终端保护结构中一个以上P型薄层的底部穿透N型硅外延层并和N+硅基片接触；各P型薄层中至少一部分由填充于沟槽中的P型硅组成；各P型薄层中，填充于沟槽中的P型硅的杂质浓度在纵向方向上至少有两种值，各P型硅的底部区域的杂质浓度约为最佳电荷平衡的杂质浓度，各P型硅的顶部区域的杂质浓度为最佳电荷平衡的杂质浓度的2倍以上。本发明还提供一种超级结器件的制造方法。本发明能提高器件的反向击穿电压，并改善反向击穿电压的稳定性，能保证器件在感性元件存在的电路中的抗过冲电流能力，能提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超级结器件，在一N+硅基片上形成有一N型硅外延层，超级结器件的中间区域为电流流动区，所述电流流动区包含多个交替排列的形成于所述N型硅外延层中的P型薄层和N型薄层；所述终端保护结构环绕于所述电流流动区的外周，所述终端保护结构包括多个环绕于所述电流流动区的外周且交替排列的形成于所述N型硅外延层中的P型薄层和N型薄层；其特征在于：一个以上所述P型薄层的底部穿透所述N型硅外延层并和所述N+硅基片接触；各所述P型薄层中由填充于沟槽中的P型硅组成、或者各所述P型薄层中由形成于所述N型硅外延层中的P型注入区加上形成于所述P型注入区上部的填充于沟槽中的P型硅组成；各所述P型薄层中，填充于沟槽中的所述P型硅的杂质浓度在纵向方向上至少有两种值，各所述P型硅的底部区域的杂质浓度为最佳电荷平衡的杂质浓度的85％～115％，各所述P型硅的顶部区域的杂质浓度为最佳电荷平衡的杂质浓度的200％以上。
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