[发明专利]高压半导体元件有效
申请号: | 201110186435.6 | 申请日: | 2011-07-05 |
公开(公告)号: | CN102867856A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 浦士杰;李庆民;徐尉伦;王智充;林克峰 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明披露了一种高压半导体元件,包括基底;第一导电型井设于该基底中;第一第二导电型掺杂区设于该第一导电型井中;第一隔离结构设于该第一导电型井中并环绕该第一第二导电型掺杂区;以及第一第二导电型漂移环设于该第一第二导电型掺杂区及该第一隔离结构之间。 | ||
搜索关键词: | 高压 半导体 元件 | ||
【主权项】:
一种高压半导体元件,包括:基底;第一导电型井,设于该基底中;第一第二导电型掺杂区,设于该第一导电型井中;第一隔离结构,设于该第一导电型井中并环绕该第一第二导电型掺杂区;以及第一第二导电型漂移环,设于该第一第二导电型掺杂区及该第一隔离结构之间。
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