[发明专利]一种PIN倒置结构紫外雪崩光电探测器及其制备方法

摘要

一种PIN倒置结构紫外雪崩光电探测器及其制备方法。器件包括衬底及生长于衬底之上的外延层，其中，外延层自下而上的顺序依次为缓冲层，p型掺杂GaN层，若干周期的δ掺杂缓冲GaN层，高阻非掺杂或低掺杂浓度的本征GaN有源层，n型掺杂GaN层。器件的制备流程包括：利用光刻、干法刻蚀进行器件台面、探测窗口的制作，分别在p型GaN层和n型GaN层制作p型和n型电极，经过合金后实现金属与半导体形成欧姆接触。使n型层处于顶层，避免了常规结构中p型层位于最上面时的情况下需要采用背入射方式所带来的入射光信号损失或外延结构缺陷，有利于光信号激发的空穴获得最大的增益路径，实现高增益高响应的高性能紫外探测器。

主权项

一种PIN倒置结构的紫外雪崩光电探测器，其特征在于：从下到上依次为蓝宝石衬底、缓冲层、p型掺杂GaN层、δ掺杂缓冲GaN层、有源层、n型掺杂GaN层、以及制作于n型GaN层上的n型欧姆接触电极、制作于p型GaN层的p型欧姆接触电极。