[发明专利]一种用于紫外探测的雪崩光电二极管及其制备方法和工作方法

摘要

一种用于紫外探测的雪崩光电二极管及其制备方法和工作方法，雪崩光电二极管包括衬底、缓冲层、宽禁带半导体光吸收层、以及至少一对肖特基电极；衬底上依次为缓冲层、宽禁带半导体光吸收层，所述一对肖特基电极背对背呈水平分布，直接覆盖在宽禁带半导体光吸收层上。本发明针对宽禁带半导体晶体质量普遍不高和双导电类型掺杂困难的问题，采用高反向偏压的肖特基结来实现具有强电场的紫外敏感耗尽区，当耗尽区中的电场达到所对应宽禁带半导体的临界击穿电场时，就可以实现雪崩操作；此外，采用水平背对背肖特基接触结构使半导体耗尽区内的强场近似垂直于半导体薄膜的外延生长方向，降低材料中结构缺陷对器件性能的影响，提高器件的可靠性。

主权项

一种用于紫外探测的雪崩光电二极管，其特征是包括衬底(101)、缓冲层(102a)、宽禁带半导体光吸收层(102b)、以及至少一对肖特基电极：第一肖特基电极(103)和第二肖特基电极(104)；衬底(101)上依次为缓冲层(102a)、宽禁带半导体光吸收层(102b)，第一肖特基电极(103)与第二肖特基电极(104)为两个背对背肖特基电极，呈水平分布，直接覆盖在宽禁带半导体光吸收层(102b)上。