[发明专利]提高多端口、多沟道浮体存储器性能的操作方法

摘要

本发明属于存储器技术领域，提出了一种提高多端口、多沟道存储器器件存储性能的操作方法。本发明中提供了多端口，多沟道存储器单元，包括：数个存储单元；每个存储单元有n个晶体管，每个晶体管包括源区、漏区、栅、以及位于源区和漏区之间的体区，相邻晶体管间的源区和漏区相互连接或者共享，每个晶体管导通时，该晶体管的源和漏间形成导电沟道。本发明提供了一种90nm及以下节点多沟道嵌入式动态随机存储器的一种解决方案，可以明显改善器件的操作窗口、数据保持特性、正确率、可靠性等存储特性。

主权项

一种多端口、多沟道存储器单元，包括：数个存储单元；每个存储单元有n个晶体管，其中n为自然数，n≥2，每个晶体管包括源区、漏区、栅、以及位于源区和漏区之间的体区，相邻晶体管间的源区和漏区相互连接或者共享，每个晶体管导通时，该晶体管的源和漏间形成导电沟道，晶体管的源区、体区和漏区形成双极晶体管结构，即寄生三极管；每个晶体管有1对字线位线对，即1条字线和1条字线；每个晶体管的位线可以与一个输入/输出端口相连；存储单元中的不同晶体管位于同一浮体中，浮体与周围电隔离；通过至少一个端口向所述的浮体中注入载流子或抽取载流子，调节晶体管的阈值电压，达到写入信号的目的；通过一个端口读出或通过多个端口同时读出晶体管导电沟道电流和寄生三极管电流，通过分辨电流的大小，达到读出信号的目的，大电流代表第一数据状态1，小电流代表第2数据状态0；通过至少一个端口定期将存储单元中原有信号写回去，达到刷新信号的目的；不同晶体管的字线位线对彼此独立，可以同时或分时被选中，进而同时或分时选中相应的不同晶体管，通过相应的端口可以同时或分时进行读取和刷新的存储操作。